一种硅基光学限幅器
本发明公开了一种光学限幅器，包括非线性光学介质和硅薄膜。非线性光学介质具有正的非线性折射系数，硅薄膜上具有经过 …
2024年8月30日
一种绝缘体上半导体及其制备方法
本发明提供一种绝缘体上半导体及其制备方法，先在第一Si衬底上的第一SiO2层刻出多个孔道，然后选择性外延Ge、 …
一种复合材料泡沫夹芯杆
本发明公开了一种复合材料泡沫夹芯杆，属于新材料结构领域。所述复合材料泡沫夹芯杆是由复合材料管、泡沫填充物、连接 …
利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法
本发明涉及利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法，以六方氮化硼(BN)、二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(W …
一种GOI晶片结构的制备方法
本发明提供一种GOI晶片结构的制备方法，该方法首先利用Smart-Cut技术制作出SGOI晶片结构，然后对SG …
一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用
本发明涉及微电子技术领域的金属元素掺杂的相变材料，尤其涉及一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应 …
一种制备具有pH响应的复合智能高分子光子晶体的方法
本发明涉及一种基于生物模板仿生制备具有pH响应的复合智能高分子光子晶体的方法，属于材料科学领域，包括以下几个步 …
一种石墨烯场效应器件制备方法
本发明提供一种石墨烯场效应器件集成方法。该方法在衬底上形成栅电极与对准标记。接下来制备出具有高介电常数的Al2 …
亲水性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法
本发明提供了一种亲水性聚偏氟乙烯中空纤维膜的制备方法，其特征在于，具体步骤为：将聚偏氟乙烯、复合稀释剂以及两亲 …
一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法
本发明提供一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成GaA …
一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法
本发明提供一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，先通过外延技术和离子注入技术形成半导体衬底、GaAs …
一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法
本发明提供一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法，首先在Si衬底上依次外延生长中间薄层、Si外延层、及 …