本发明公开了一种Ta掺杂的Ga2O3薄膜的可控制备工艺方法，通过磁控溅射法共溅射氧化钽和氧化镓，生成掺钽的氧化镓薄膜；将所述的掺钽的氧化镓薄膜进行退火。本发明所制备的钽掺杂的氧化镓薄膜表面分布均匀，结构致密，且薄膜厚度可控。本发明的制备方法操作简单，工艺可控性强。该工艺对发展光电探测器、高功率器件、场效应晶体管等器件具有重要意义，在航空航天、轨道交通、能源转换、通信及汽车领域具有广阔的应用前景。
上海大学
黄健 | 邓洁 | 黄浩斐 | 王梦倩 | 王世琳 | 刘尊 | 顾客云 | 李洪伟 | 丽娜.阿扎提 | 张磊 | 唐可 | 王林军
安徽省科学技术厅关于印发《安徽省未来产业科技园建设试点工作指引（试行）》的通知
2025年8月29日