本申请涉及一种用于3D打印的基质挤出方法、电子设备及存储介质。基质挤出方法包括:根据打印路径信息,确定打印路径上各打印点的几何沉积间距;根据各打印点的几何沉积间距及第一打印参数,确定各打印点的基质挤出速度;根据各打印点的基质挤出速度、打印速度及第二打印参数,确定各打印点的基质挤出量。本申请提供的一种用于3D打印的基质挤出方法、电子设备及存储介质,基于根据打印路径信息确定的各打印点的几何沉积间距,确定各打印点的基质挤出量,能够在不改变打印路径的基础上,在打印路径中的过填充区域减少基质挤出量,欠填充区域增加基质挤出量,实现基质材料的自适应挤出,有效减少打印件的微观孔隙并增强其力学强度。
上海大学
姚远 | 杨金秀 | 马英鑫 | 吴焕晓
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