一种DRAM芯片三维集成系统及其制备方法

本发明公开了一种DRAM芯片三维集成系统及其制备方法。在硅片正反面刻蚀出若干个沟槽结构；然后，在上下相对的两个沟槽之间刻蚀出TSV结构进行电气连通；接着，在沟槽内放置DRAM芯片，并采用铜‑铜键合的方式使得垂直方向上芯片与TSV结构电气连通；最后进行重布线，使得水平方向上的芯片之间电气连通。本发明能够充分利用硅材料，而且可以避免转接板出现翘曲、变形等问题。此外，将芯片放置在沟槽内，既不会增大整体封装厚度，又能保护芯片不会受到外力冲击。