基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺

本发明涉及了一种基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺。本发光二极管包括：n型金焊盘、p型焊盘，发光层、芯片衬底、通孔、绝缘层、通孔导柱、固晶层、基板、荧光层。针对当前大功率LED存在的结构缺陷，提供一种基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺，在芯片正负电极位置分别通过刻蚀技术(激光技术)制作通孔至衬底底面，并通过填充金属导柱至芯片背面，并在芯片衬底背面正负电极位置分别进行镀金（正负焊盘分隔开），在封装的时候直接通过固晶焊接就可以完成电极的连接，无需再进行金丝键合，此技术有利于在大规模晶片级封装的开展，而且此技术不仅通过通孔提高了散热性能，而且提高了LED芯片封装的可靠性。