本发明涉及一种提高铋层状结构压电陶瓷材料的压电性能以及其温度稳定性的方法，所述方法包括，将铋层状结构压电陶瓷材料样品依次进行第一次极化处理、去极化处理以及第二次极化处理，其中，所述第一次极化处理和第二次极化处理均在第一温度和第一电场强度下进行，所述去极化处理为在第二温度下进行的退火处理，所述第一温度为150～200℃，第一电场强度比所述铋层状结构压电陶瓷材料的临界击穿电场强度低10%～30%，第二温度比所述铋层状结构压电陶瓷材料的居里温度高20～80℃。
中国科学院上海硅酸盐研究所
周志勇 | 李玉臣 | 董显林
安徽省科学技术厅关于印发《安徽省未来产业科技园建设试点工作指引（试行）》的通知
2025年8月29日