一种限域型氢气传感器制备方法

本发明涉及气体传感器技术领域，具体地说是一种限域型氢气传感器制备方法，在CNC上沉积20‑1000个循环的ALD SnO2膜，在CNC上沉积1‑500个循环的NiO，沉积40个循环的NiO，沉积SnO2，制备SnO2外表面限域和SnO2纳米管内表面限域NiO样品，在CNC上沉积NiO，然后沉积ALD‑SnO2，再沉积NiO即可得到SnO2内外表面同时限域NiO，在400‑1200℃下用空气煅烧3小时后形成模板，去除模板接口获得材料，本发明同现有技术相比，NiO和SnO2的协同效应导致了I‑NiSnNCs的漏斗效应，实现了对氢的高传感性能。