深孔电镀的预处理方法

本发明涉及一种深孔电镀的预处理方法，包括如下步骤：步骤（1）选择待镀的具有一个或多个深孔的半导体芯片，选择纯水，并冷却；步骤（2）将所述半导体芯片进行抽真空处理；步骤（3）将所述半导体芯片在真空下浸泡在所述纯水中；步骤（4）将所述半导体芯片使用镀液浸泡、小电流刺激；步骤（5）将所述半导体芯片使用上述镀液进行电镀。本发明使深孔与镀液充分接触，减少大深宽比的孔径中残留的气泡，有效减少空隙和接缝等缺陷的发生。