沉积 NiTi 合金层外延生长 NiSiGe 材料的方法

本发明提供了一种新的生成 NiSiGe 材料的方法，采用改变金属淀积层成分来调节合金化反应的进程，通过磁控溅射方法在 SiGe 表面生长 NiTi 合金薄膜，通过一定退火工艺，形成了高质量的 NiSiGe 薄膜。

上海工程技术大学